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リソグラフィ

集束イオンビームと収束イオンビーム

”集束”と”収束”の使い分けに戸惑う

はじめての半導体リソグラフィ技術で学習を続けていますが、マスク修正技術の説明中に、「集束イオンビーム」と「収束イオンビーム」の記述が出てきました。

最初に読んだ時に「あ、この本にも誤植があるんだな」とその場で判断し、”収束”の部分を2重線で消し、”集束”に書き換えてしまったのです。

しかし後ほど、”収束イオンビーム”が使用されている例もあると検索中に判明。

しっかり調べることもせず、「収束」はないと思い込んだ自分を恥じています。

勝手な思い込みはダメですね。

ここまできて、

「この書籍内ではわざと両方を使っているのだろうか?

もしそならば、この2つの用語の差は何なのだろうか?」

との疑問が湧いてきました。

こちらが書籍の記述です。

©はじめての半導体リソグラフィ技術

集束(または収束)イオンビームの定義

「集束イオンビーム」を調べると、Wikipediaではこのように書かれています。

集束イオンビーム(FIB,Focused Ion Beam)は、イオンを電界で加速したビームを細く絞ったものである。 集束イオンビームは、微細加工、蒸着、観察などの用途に用いられる。

「収束イオンビーム」ですと、Weblioではこう書かれています。

収束イオンビーム(FIB) 電子顕微鏡システムで、電子の代わりにイオンを用いた装置。電子に比べ10万倍重い質量(通常ガリウムイオンが使用される)の粒子線となるため、デカナノ(10-8 m)級の微細加工に用いられる。

結局、どちらも英語であればFIB、Focused Ion Beamのことなんですよね。

”集束イオンビーム”でGoogle検索すると171000件、”収束イオンビーム”だと5730件と、数だけでいえば約12倍の差があります。

ただ、これまでの経験上、数が多ければいいわけではないと知っているので、どこかで2つが同時に使われていて、かつ2つの間に違いがないか探してみることにしました。

集束と収束の両方が使われている特許

この用語が使われている企業サイトや学会などの情報を収集しましたが、どちらも同じような意味合いで使われているように感じました。

ただ、”集束”なら”集束”ばかり使う、”収束”ならずっと”収束”でと、どちらかに統一されていることがほとんどでした。

特許も調べてみましたが、両方の用語が1つの明細書に使われている場合、ほとんどが単に表記ゆれしているだけのようです。

ただ下記の特許に関しては、収束と集束が違うものとして書かれています。

(11)【公開番号】特開2006-29974(P2006-29974A)
(43)【公開日】平成18年2月2日(2006.2.2)
(54)【発明の名称】観察試料の作製方法
(71)【出願人】
【識別番号】000005234
【氏名又は名称】富士電機ホールディングス株式会社

すなわち、図10の(a)に示すように試料1を銅リング3に固定し、図10の(b)に矢印で示すように、Ga収束イオンビームと同方向(図10の(a)参照)から集束イオンビームを照射し加工するので、加工はトレンチ1cの開口部側から深さ方向に進んでいく。

【図10】

うーむ…。

頑張って考えてみましたが、この特許の一部をざっと読んでも何が違うのかが全くわかりませんでした。

これ以上追及すると深みにはまって出られなくなりそうなので、ここでペンディングとします。

これがトライアルや実ジョブだったら、時間との闘いで焦ってしまうでしょうね。

対訳学習を再開するときには、自分がどれだけ時間をかけて調べ物をし、どのような情報を集め、結果どんな決断を下したのかを記録していこうと思います。

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