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・TC0093_岡野の化学（９３）
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・2600_翻訳者の心構え
・1643_酸・エステル・塩
読書
・よくわかる最新半導体リソグラフィの基本と仕組み P188－P192
驚愕の事実 part1
ここ数日間で、イオン化エネルギー、電子親和力、電気陰性度の学習をしました。本日最後の演習を終え、ノートを振り返ってみると、なんと周期表を１６回も印刷して貼り付けていました！全く同じ周期表を何度も貼ることもありましたし、違う種類（イオン化エネルギー用、電気陰性度用、原子半径用など）の周期表もたくさん印刷し、それぞれ必要箇所に張りつけることもありました。
…どうりでノートの減りが早いわけだ。
周期表１つをとっても、いろいろな楽しみ方があるんだなと、また学習の深さを再確認しました。受験生のように、これらをただ丸暗記するだけではつまらないですし、勉強する気すら起らないでしょうね。大人になった今、この勉強ができて良かったと思います。
電気陰性度に関連した半導体の特許明細書を検索して１件選択し、電気陰性度に関する箇所を抜き出してみました。
【公開番号】特開2017-191871(P2017-191871A)
【公開日】平成29年10月19日(2017.10.19)
【出願人】三菱電機株式会社
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【要約】
【課題】フォトリソグラフィー工程よりも少ない工程数と短い時間で半導体基板をパターニングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、半導体基板５の一部上に、半導体基板５よりも大きな電気陰性度を有する金属イオン３７を供給することと、半導体基板５の一部を選択的にエッチングすることとを備える。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー工程を用いて半導体基板をパターニングすることを備える半導体装置の製造方法が知られている。
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フォトリソグラフィー工程は、半導体基板上にフォトレジストを塗布する工程、露光装置を用いてフォトレジストを露光する工程、半導体基板を現像液に浸漬して露光されたフォトレジストを現像する工程、現像されたフォトレジストをリンス液で洗浄する工程及びフォトレジストを除去する工程を含む。このように、フォトリソグラフィー工程は数多くの工程を含み、多くの製造時間を要する。
【０００５】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、フォトリソグラフィー工程よりも少ない工程数と短い時間で半導体基板をパターニングすることができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一部上に、半導体基板よりも大きな電気陰性度を有する金属イオンを供給することと、半導体基板の一部を選択的にエッチングすることとを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、フォトリソグラフィー工程よりも少ない工程数と短い時間で半導体基板をパターニングすることができる。
【００２５】
図５から図９を参照して、本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、半導体基板５の一部上に、半導体基板５よりも大きな電気陰性度を有する金属イオン３７を供給することを備える。電気陰性度は、電子を引き付ける傾向を表す指標である。大きな電気陰性度を有する元素ほど、電子をより引き付けやすい。本明細書において、電気陰性度は、ポーリングの電気陰性度を意味する。
【００２６】
特定的には、半導体基板５の一部は、半導体基板５の第２の主面７のうち、半導体装置１のＦＷＤ部３が形成される部分であってもよい。金属イオン３７は、半導体基板５よりも大きな電気陰性度を有する。表１及び表２を参照して、半導体基板５が、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板であるとき、金属イオン３７を構成する金属元素は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、テクネチウム（Ｔｃ）及びレニウム（Ｒｅ）の少なくとも一つを含んでもよい。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００３４】
図１０から図１２を参照して、本実施の形態の半導体装置１の製造方法は、金属イオン３７が供給された半導体基板５の一部を選択的にエッチングすることを備える。金属イオン３７は、半導体基板５よりも大きな電気陰性度を有する。本明細書では、金属イオン３７が供給された半導体基板５の一部を選択的にエッチングすることは、金属イオン３７が供給された半導体基板５の一部のエッチングレートが、金属イオン３７が供給されない半導体基板５の他の部分のエッチングレートよりも大きいことを意味する。言い換えると、金属イオン３７が供給された半導体基板５の一部を選択的にエッチングすることは、金属イオン３７が供給された半導体基板５の一部が、金属イオン３７が供給されない半導体基板５の他の部分よりも多くエッチングされることを意味する。
【００３５】
金属イオン３７は半導体基板５よりも大きな電気陰性度を有する。金属イオン３７は、金属イオン３７に隣接する半導体基板５を構成する複数の原子５ａの電子を引き付ける。金属イオン３７に隣接する半導体基板５を構成する複数の原子５ａは、イオン化される。そのため、金属イオン３７が供給された半導体基板５の一部は、金属イオン３７が供給されない半導体基板５の他の部分よりも高い反応性を有する。金属イオン３７が配置された半導体基板５の一部はエッチング剤によって選択的かつ局所的にエッチングされ得る。
＊ポーリングの電気陰性度参照URL:
http://www.csj.jp/chemclub/backissues/NL7/nl7p12.13.pdf
今日の一言
Education is not the learning of facts,
it’s rather the training of the mind to think.
(Albert Einstein)
