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学習記録(04/02/2018 – 04/03/2018)

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TC0088_岡野の化学(88)
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・よくわかる最新半導体リソグラフィの基本と仕組み P153-P169

EUV用マスク覚書

EUVの吸収層

タンタルの窒化物である。銅やその他の導電性金属の間のバリアや「糊」の層、また熱酸化物等の誘電絶縁体フィルムの製造に使われることがある。これらのフィルムは、集積回路の製造の際に、薄膜抵抗器等として、シリコンウェハーの上に沈着される。

原子番号24の元素。元素記号は Cr。クロム族元素の1つ。
常温、常圧で安定な結晶構造は、体心立方構造 (BCC)。表面はすぐさま酸化皮膜に覆われ不動態を形成するのでさびにくく、鉄のめっきによく用いられる(クロムめっき)。
金属としての利用は、光沢があること、硬いこと、耐食性があることを利用するクロムめっきとしての用途が大きい。

エッチングストッパー層

原子番号44の元素。元素記号は Ru。白金族元素の1つ。貴金属にも分類される。銀白色の硬くて脆い金属(遷移金属)。

反射層

原子番号 14 の元素である。元素記号は Si。原子量は 28.1。「珪素」「硅素」「シリコン」とも表記・呼称される。地球の主要な構成元素のひとつ。半導体部品は非常に重要な用途である。
原子量は28.1。

原子番号42の元素。元素記号は Mo。クロム族元素の1つ。銀白色の硬い金属(遷移金属)。常温、常圧で安定な結晶構造は体心立方構造 (BCC)。
原子量は95.96。

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今日の一言

チャレンジして失敗を恐れるよりも、何もしないことを恐れろ。

(本田宗一郎)